《机构预计2026年存储价格有望持续上涨》深度解读与独立判断
《机构预计2026年存储价格有望持续上涨》深度解读与独立判断

一、先说结论:这不是一篇“价格预测报告”,而是一份周期拐点确认书
表面上看,这篇双周报的核心卖点是:
2026年Q1起,DDR5、eSSD、嵌入式存储价格将出现大幅上涨;
多个细分品类涨幅达到 20%–40%,部分嵌入式 DRAM 成本同比翻倍。
但如果仅将其理解为“存储价格继续涨”,其实是低估了这篇报告的价值。
它真正确认的是:存储行业已经从“周期反弹”,进入“结构性供给约束 + 需求跃迁”的新阶段。
这也是为什么本轮存储上涨,与 2017–2018 年、2021 年的周期逻辑,有本质差异。
二、价格为什么还能涨?——三层“不可逆”的驱动因素
(一)第一层:AI 不是拉长周期,而是“改变需求结构”
报告大量引用 CFM 的判断,核心集中在三个方向:
服务器 DDR5 RDIMM 供给缺口;
企业级 eSSD 持续紧张;
嵌入式 DRAM / NAND 在手机端成本大幅上移。
我的判断是:
AI 对存储的影响,并非简单的“用量增加”,而是:
存储从“容量型器件”,升级为“算力系统的性能器件”。
具体体现为:
DDR5 从“可选升级”变成“算力平台标配”;
QLC NAND 被迫从消费端让位于服务器端;
LPDDR5X 成为服务器、AI 模组中的新增需求。
这种变化一旦发生,就几乎不具备回退条件。
(二)第二层:供给端“理性克制”,是这轮周期最重要的不同点
报告反复强调一个细节:
原厂资本开支依然审慎;
即便 CapEx 回升,位元产出的释放存在显著滞后。
这与历史周期形成鲜明对比:
| 历史周期 | 原厂行为 | 结果 |
|---|---|---|
| 2017–2018 | 激进扩产 | 高点迅速反转 |
| 2021 | 快速扩产 | 价格崩塌 |
| 本轮 | 严控扩产 | 高位维持时间拉长 |
这意味着:
2026 年的高价,不是“情绪泡沫”;
而是供给主动放弃“份额最大化”的结果。
(三)第三层:价格上涨正在“反向筛选”产业链
报告已经点出风险:
存储价格上涨 → 消费电子成本上升 → 手机、PC 出货承压。
但我认为这恰恰是一个被低估的“结构优化过程”:
低端、价格敏感型终端被迫出清;
中高端产品加速向“高存储规格”集中;
存储厂商获得更健康的毛利区间。
这意味着:
存储正在从“强周期、弱定价权”行业,向“准寡头、强议价权”演进。
三、存储上涨的“赢家”和“承压者”并不对称
1. 明确受益方
服务器存储链条:DDR5 RDIMM、eSSD、HBM 协同放量;
具备客户结构优势的存储厂商:企业级、服务器、模组能力强;
国产设备与材料:长江存储、长鑫扩产将直接拉动本土配套。
2. 明确承压方
低端消费电子整机:ASP 提升空间有限;
单一消费级存储模组厂:议价能力弱;
对价格极度敏感的 ODM 体系。
这也是为什么“存储涨价 ≠ 整个电子行业受益”。
四、把这篇报告与前两篇放在一起的“统一结论”
如果将:
《2026年电子行业展望》
《CoWoS 与 HBM 周报》
本篇《存储价格上涨双周报》
三者合并,其实可以得到一个高度一致、且不断被验证的产业判断:
AI 的产业影响,正在通过“存储 → 封装 → 系统工程”层层传导,而不再停留在芯片算力本身。
存储价格持续上涨,并不是终点,而是:
算力系统复杂化的结果;
工程能力成为核心竞争力的外在表现。
五、最终独立判断总结
一句话结论:
2026 年的存储,不是“涨不涨”的问题,而是“高位能维持多久、谁能真正赚到钱”的问题。
如果只保留三条判断:
本轮存储上涨是“结构性”,而非“情绪性”;
供给端理性,是价格韧性的根本来源;
真正的赢家,将集中在服务器、企业级与国产替代协同方向。
这将是判断 2026–2027 年半导体产业格局的重要锚点。
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