兼具DRAM、NAND优势！新型存储器“ULTRARAM”即将量产

全球半导体观察 2025年09月01日 13:13 广东

据外媒报道，英国半导体公司Quinas Technology即将量产一款结合了DRAM与NAND优势的新型存储器：ULTRARAM。

报道称，Quinas Technology与高端晶圆制造商IQE历经一年紧密合作，已成功将新型存储器技术ULTRARAM推进至量产前夕，并致力将ULTRARAM存储器的制程推进到工业化规模。

ULTRARAM被视为综合了DRAM与NAND优点的新型存储器，具备DRAM的高速配合与NAND的非挥发性，成功实现高达4000倍于NAND的耐用度、低于1飞焦耳(fJ)的超低切换能耗，与长达1,000年的数据保存能力。

据IQE此前介绍，ULTRARAM是一项由兰卡斯特大学发明的军民两用技术，它将数据存储存储器（例如闪存）的非易失性与工作存储器（例如DRAM）的速度和耐用性相结合，同时显著提高了能效。ULTRA RAM的目标应用领域包括人工智能、量子计算、太空和国防。

报道指出，该设计之所以迎来大幅进展，主要是因为采用锑化镓与锑化铝的磊晶技术获得突破，而且为全球首创，将帮助ULTRARAM真正进入量产。

ULTRARAM相当仰赖磊晶技术，后续经过曝光与蚀刻等半导体制程，来构建存储器芯片结构。

IQE执行长Jutta Meier指出，“我们已经成功达成目标，为ULTRARAM开发出可扩展的磊晶制程，这是迈向封装芯片工业化生产的重要里程碑。这个专案代表了一个独特机会，将下一代复合半导体材料在英国实现”。

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