干法刻蚀的具体工艺流程是什么？

如上图，展示了典型的干法刻蚀(Dry Etching)流程，用于在集成电路制造中将图案从光刻胶转移到底层材料中，不管任何材料的干法刻蚀流程都大差不差，下面根据图中标注分步解析干法刻蚀流程

第1步~第4步:薄膜材料沉积

第1步:硅衬底(绿色)为基础结构。

第2步:在硅上沉积绝缘层，一般为二氧化硅(Si02)，起到电隔离作用。

第3步:在绝缘层上继续沉积栅极材料(通常是多晶硅)

第4步:旋涂一层光刻胶(PR)，为后续的图案转移做准备，

第5步:曝光

利用光刻工艺将设计图案投影到PR上，曝光后进行显影，得到图案化的PR掩膜。

图中标出:PR上的白色区域是已曝光/显影的位置，表示开口区域。

第6步:显影，刻蚀准备

显影后PR图案形成，为刻蚀做好准备;

显影后可进行预烘烤、Ashing、degas等预处理，接下来根据工艺选择干法刻蚀或湿法刻蚀。

第7步:干法刻蚀

使用等离子体刻蚀方法(RIE等)，通过高能粒子轰击实现各层材料的各向异性刻蚀;

PR掩膜保护未曝光区域，等离子体蚀刻多晶硅或Si02等目标材料:

第8步:剥离(PR去除

刻蚀完成后，去除PR(光刻胶)

可采用等离子体去胶(ashing)或溶剂剥离;

至此，一个完整的干法刻蚀步骤结束。