【产业】韩国半导体格局生变？美光“HBM4”样品供应追赶韩国企业

原创 中韩商桥 在韩华人圈 2025年06月12日 15:25 韩国

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近日，美国存储半导体企业美光向主要客户供应了第六代高带宽存储器（HBM）“HBM4”样品，与HBM领域领先者韩国SK海力士样品出货时间仅相差3个月，比韩国三星电子更早成功生产出样品，给韩国半导体企业带来了不小的压力。

当地时间10日，美光宣布已向多家客户出货容量为36千兆字节（GB）的12层HBM4。美光采用10纳米级第五代（1b）DRAM堆叠制造HBM4，并表示相较于上一代HBM3E（第五代），其性能和功耗效率分别提升了60%和20%以上。美光称：“此次样品出货将进一步巩固我们在人工智能（AI）应用内存性能及功耗与效率领域的领先地位。”

此前，美光曾于去年6月表示“预计明年上半年供应HBM4样品”，如今看来其按照既定路线图顺利推进了产品开发。尽管美光未公布客户名称，但业内普遍认为英伟达等HBM主要需求方包含在内。

美光的迅猛发展让韩国半导体企业感受到了紧张氛围。韩国SK海力士已于今年3月向英伟达等主要客户供应了HBM4样品。如今美光仅以3个月之差紧追不舍，作为领先者的SK海力士面临着保持差距的挑战。不过，SK海力士计划于今年下半年量产HBM4，从路线图来看，比美光领先一步。

而韩国三星电子则处于独自追赶前两家企业的境地。此前，在上一代HBM3E 8层和12层产品中，美光就比三星更早通过了英伟达的认证。问题在于，HBM领域的成果正影响着整个DRAM市场的份额。

据Omdia数据显示，今年第一季度，SK海力士在全球DRAM市场以36.9%的份额超越三星电子（34.4%）位居榜首，美光份额较上一季度上升3个百分点至25%，位列第三。此前发布市场份额数据的TrendForce和Counterpoint Research均统计称，SK海力士首次在DRAM市场份额上超越三星电子，位居第一。业内预计，HBM竞争力将成为DRAM市场核心竞争力的趋势在HBM4时代将更为明显。

三星电子计划采用业界首个10纳米级第六代（1c）DRAM来设计HBM4，据悉其计划于年内量产HBM4。

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