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半导体封装后清洗设备兼容性解析:工艺匹配与设备选型指南

Global PNG2026-01-26 02:00:05
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本文聚焦半导体芯片封装后清洗设备兼容性技术,深度解析清洗设备如何匹配3D封装、扇出型封装、系统级封装等先进工艺。重点探讨设备在微间隙清洗、塑封料残留去除等关键指标上的创新方案,结合国产设备突破案例,提供清洗设备选型策略。一、封装工艺发展对清洗设备的新要求随着半导体封装向高集成度、多功能化方向发展,清洗设备需兼容:3D堆叠封装:TSV孔道<5μm,要求清洗介质渗透性强扇出型封装(FOWLP):...

本文聚焦半导体芯片封装后清洗设备兼容性技术,深度解析清洗设备如何匹配3D封装、扇出型封装、系统级封装等先进工艺。重点探讨设备在微间隙清洗、塑封料残留去除等关键指标上的创新方案,结合国产设备突破案例,提供清洗设备选型策略。


一、封装工艺发展对清洗设备的新要求


随着半导体封装向高集成度、多功能化方向发展,清洗设备需兼容:


3D堆叠封装:TSV孔道<5μm,要求清洗介质渗透性强


扇出型封装(FOWLP):塑封料厚度>500μm,需去除深层残留


系统级封装(SiP):多材质共存,需避免选择性腐蚀


兼容性核心指标:


工艺覆盖范围:支持2D/2.5D/3D全类型封装


清洗均匀性:晶圆边缘与中心清洗效果差异<5%


介质普适性:兼容酸性/碱性/中性清洗剂


二、主流封装工艺清洗设备解析


1. 3D封装清洗设备


技术难点:


微间隙清洗:TSV孔道内残留去除率>99.9%


低介电层保护:避免高频超声波损伤


设备方案:


真空超声波:深圳矽电的VacSonic系列(频率可调至1MHz)


电润湿技术:苏州晶瑞的EWD系列(动态调节接触角)


2. 扇出型封装清洗设备


技术挑战:


塑封料溢料:需清除厚度>100μm的环氧残留


RDL层保护:避免铜线剥离风险


设备创新:


高压喷淋系统:上海新阳的JetClean系列(压力>20bar)


化学剥离工艺:杭州长川的ChemStrip系列(专用溶剂配方)


3. 系统级封装清洗设备


关键需求:


多材质兼容性:同时处理陶瓷、金属、有机基板


颗粒控制:清洗后0.5μm以上颗粒<10个/片


设备代表:


北京华峰的MultiClean系列:采用模块化清洗腔体


广州驭驰的FlexWash系列:支持工艺参数自定义


三、国产设备兼容性突破


全工艺覆盖平台:


深圳矽电:推出兼容2D/3D封装的UniClean系列


智能识别系统:


苏州晶瑞:开发封装类型自动识别算法


环保清洗方案:


上海新阳:推出无氮化物排放的清洗工艺


四、设备选型建议


研发型客户:优先选择支持工艺定制的设备(如FlexWash系列)


量产型客户:推荐高稳定性标准化设备(如UniClean系列)


先进封装:优先考虑电润湿或真空超声波设备

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