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半导体备件干法刻蚀等离子刻蚀6英寸硅上电极
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核心优势

双版本选择
优化等离子体分布
耐热性强
提高刻蚀均匀性
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等离子刻蚀6英寸硅上电极


生产状态:现货
发货日:30 天
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用于电容耦合等离子体(CCP)刻蚀机或某些CVD设备的关键消耗性部件
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6英寸
库存:10000
订货编码:PT200004090021
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产品概述:

6英寸硅上电极 是支撑6英寸晶圆特色工艺和先进分立器件制造的核心高端耗材。它虽然不是最前沿逻辑芯片的产物,但其无金属污染的特性和优异的工艺控制能力,正是高性能功率芯片、射频芯片和微传感器等高附加值产品能够实现高质量、规模化生产的重要保障。它的定期更换是维持设备最佳工艺状态、保证产品良率和性能一致性的必要环节,体现了其在半导体产业链中的关键价值。



产品应用:

适用于 150mm 晶圆,主要用于研发、测试线及小批量生产。

●高纯度硅材质,减少金属污染,提高芯片良率。

●主要用于半导体制造过程中 等离子刻蚀(Plasma Etching) 设备的反应室(Chamber)中。



产品特性:

●双版本选择(Silicon Only / Elastomer Bonded),满足不同工艺需求。

●优化等离子体分布,提高刻蚀均匀性。

●耐热性强,减少颗粒污染,延长使用寿命。



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