多晶硅沟槽刻蚀8英寸硅上电极

产品概述：

●8 英寸硅上电极（Silicon Upper Electrode）是半导体制造中等离子干法刻蚀（Dry-Etching）设备的重要组成部分。

关键应用场景

●介质刻蚀（Dielectric Etching）——如氧化物、氮化物的图形化。

●硅刻蚀（Silicon Etching）——如多晶硅沟槽刻蚀。

●成熟制程（≥28nm）的功率器件、MEMS传感器、模拟芯片生产线。

●8英寸晶圆厂的刻蚀设备维护与耗材更换。

产品特性

●适用于 200mm 晶圆，广泛应用于成熟制程产线。

●高纯度硅，减少颗粒污染，确保制程稳定性。

●Silicon Only / Elastomer Bonded 选择，提升耐用性与适应性。

●均匀温度分布，优化刻蚀效果，减少缺陷。

●适配干法刻蚀设备，兼容性强，稳定可靠。