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半导体备件干法刻蚀8英寸硅上电极
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8英寸硅上电极

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一、核心价值:

为高精度刻蚀工艺提供稳定、纯净的解决方案

高制程稳定性:高纯度硅材质+均匀温度分布,减少颗粒污染和缺陷率,提升芯片良率。

设备兼容性:专为HPT系列优化,无缝适配主流干法刻蚀设备。

工艺灵活性:提供Silicon Only/Elastomer Bonded两种方案,满足介质刻蚀与硅刻蚀的不同纯度需求。

成本效益:成熟制程(200mm晶圆)的高性价比耗材,延长设备使用寿命。

二、关键应用场景(行业匹配)

适用于半导体制造中的高精度刻蚀环节

核心工艺

介质刻蚀(Dielectric Etching)——如氧化物、氮化物的图形化。

硅刻蚀(Silicon Etching)——如多晶硅沟槽刻蚀。

典型产线

成熟制程(≥28nm)的功率器件、MEMS传感器、模拟芯片生产线。

8英寸晶圆厂的刻蚀设备维护与耗材更换。

三、产品特性(优势)

●温度均匀性:优化热场设计,减少刻蚀速率波动,提升工艺一致性。

真空兼容性:高真空环境稳定运行,满足先进制程对环境洁净度的要求。

结构耐用性:弹性体粘结技术(Elastomer),降低开裂风险,延长更换周期。

四、产品规格(精准选型参考)

材质选项

Silicon Disk Only:纯度>99.999%,适用于敏感工艺

Elastomer Bonded:硅+石墨复合,耐热性提升30%

物理参数

直径:8英寸(200mm)

工作温度:≤600℃(持续)/ 800℃(峰值)

产品大样图:

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