12英寸硅上电极

二、关键应用场景

●良率提升：高纯度硅材质（≤ppb级金属污染）+ 优化热场设计，减少颗粒缺陷，提升芯片良率。

●工艺兼容性：同时支持 介质刻蚀（Low-k） 和 硅刻蚀（高深宽比），覆盖逻辑芯片/3D NAND关键制程。

●设备零风险：适配LAM Research干法刻蚀机，通过原厂级兼容性认证，杜绝设备宕机风险。

●长寿命设计：Elastomer Bonded版本耐热性提升50%，寿命达 1500次循环，降低综合成本。

三、产品特性

●双材质选项：Silicon Only / Elastomer Bonded，纯硅满足超净工艺，复合材质应对高温负载

●等离子体均匀性：专利电极表面纹理设计，刻蚀均匀性（CDU）≤3%，减少返工。

●热管理优化：嵌入式冷却通道 + 高导热石墨层，晶圆温度梯度＜±1.5℃，避免热应力缺陷

●真空兼容性：低放气材质（通过ASTM E595认证），维持腔体真空度＜1×10⁻⁶ Torr

四、产品规格：

●直径：300mm（12英寸）

●工作温度：Silicon Only ≤800℃ | Elastomer Bonded ≤1000℃

●表面粗糙度：Ra＜0.5μm（降低颗粒生成）

产品大样图：