介质刻蚀和硅刻蚀12英寸硅上电极

产品概述：

●12英寸硅上电极 是应用于12英寸（300mm）晶圆半导体制造设备中的关键性消耗部件，主要用于高端等离子体工艺腔室，如电容耦合等离子体（CCP）刻蚀机和某些化学气相沉积（CVD）设备。

产品应用：

●良率提升：高纯度硅材质（≤ppb级金属污染）+ 优化热场设计，减少颗粒缺陷，提升芯片良率。

●工艺兼容性：同时支持 介质刻蚀（Low-k）和 硅刻蚀（高深宽比），覆盖逻辑芯片/3D NAND关键制程。

●设备零风险：适配LAM Research干法刻蚀机，通过原厂级兼容性认证，杜绝设备宕机风险。

●长寿命设计：Elastomer Bonded版本耐热性提升50%，寿命达 1500次循环，降低综合成本。

产品特征：

●双材质选项：Silicon Only / Elastomer Bonded，纯硅满足超净工艺，复合材质应对高温负载

●等离子体均匀性：专利电极表面纹理设计，刻蚀均匀性（CDU）≤3%，减少返工。

●热管理优化：嵌入式冷却通道 + 高导热石墨层，晶圆温度梯度＜±1.5℃，避免热应力缺陷

●真空兼容性：低放气材质（通过ASTM E595认证），维持腔体真空度＜1×10⁻⁶ Torr